MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L080N120SC1, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
202-5740
Nº ref. fabric.:
NVH4L080N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

22.74mm

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 80 mohm, TO247-4L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 29 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en el cargador de a bordo de automoción, convertidor dc o dc, aplicaciones de accionamiento de motor auxiliar de automoción.

Certificación AEC Q101

100 % a prueba de avalancha

Baja capacitancia eficaz de salida

En conformidad con RoHS

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