MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L080N120SC1, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
202-5701
Nº ref. fabric.:
NTH4L080N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NTH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.2mm

Altura

22.74mm

Anchura

5.2 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 29 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, inversor de impulso, accionamiento de motor industrial, cargador fotovoltaico.

Resistencia de drenaje a conexión de fuente 110mO

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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