MOSFET, Canal N-Canal DiodesZetex DMG3406L-13, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 719-488
- Nº ref. fabric.:
- DMG3406L-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 0,116 € | 0,58 € |
| 125 - 495 | 0,104 € | 0,52 € |
| 500 - 2495 | 0,092 € | 0,46 € |
| 2500 - 4995 | 0,08 € | 0,40 € |
| 5000 + | 0,072 € | 0,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 719-488
- Nº ref. fabric.:
- DMG3406L-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | DMG3406L | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.5 mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie DMG3406L | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.5 mm | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N de DiodesZetex está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Diseñado para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación superior, este componente es ideal para cargar baterías, convertidores dc-dc y adaptadores de alimentación portátiles. Su diseño mecánico robusto, combinado con una construcción sin plomo y conforme con RoHS, subraya su compromiso con la sostenibilidad ambiental y la fiabilidad en una amplia gama de aplicaciones. Capaz de manejar cargas de corriente sustanciales, este MOSFET sirve como un componente esencial para sistemas electrónicos modernos que requieren una gestión de potencia fiable.
Baja resistencia de conexión para mejorar la eficiencia en la gestión de la potencia
La velocidad de conmutación rápida mejora el rendimiento en aplicaciones dinámicas
La baja capacitancia de entrada reduce los requisitos de potencia del sistema
Diseñado para una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo que garantiza versatilidad
Conformidad con RoHS, compatible con la producción de dispositivos respetuosos con el medio ambiente
Construcción total sin plomo, alineada con las normas ambientales
La alta capacidad de corriente de drenaje continua de 3,6 A a 25 °C maximiza el rendimiento de la aplicación
El nivel de sensibilidad a la humedad 1 garantiza una fiabilidad robusta en diversos entornos
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