Semiconductor de potencia, Canal N-Canal Vishay MXP120A045SE-T1GE3, VDSS 1200 V, ID 52 A, N, TO-263-7L de 7 pines
- Código RS:
- 736-648
- Nº ref. fabric.:
- MXP120A045SE-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | Semiconductor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | MXP | |
| Encapsulado | TO-263-7L | |
| Tipo de montaje | SMD | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Tensión directa Vf | 4.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto Semiconductor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie MXP | ||
Encapsulado TO-263-7L | ||
Tipo de montaje SMD | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Tensión directa Vf 4.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El Sic Mosfet de canal N de Vishay proporciona un rendimiento excepcional para inversores solares de alta potencia y sistemas de almacenamiento de energía. Este robusto componente prioriza la seguridad de funcionamiento al ofrecer un tiempo de resistencia a cortocircuitos fiable de 3 microsegundos para electrónica exigente.
Velocidad de conmutación rápida para una alta eficiencia
Tecnología avanzada de carburo de silicio
Fiabilidad mejorada para fuentes de alimentación ininterrumpida
Categorización de materiales conforme a los estándares industriales
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