MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A045SE-1GE3, VDSS 1200 V, ID 52 A, N, TO-263-7L de 7 pines

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Código RS:
790-411
Nº ref. fabric.:
MXPQ120A045SE-1GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

MaxSiC

Encapsulado

TO-263-7L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

4.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Disipación de potencia máxima Pd

268W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.23mm

Altura

4.5mm

Anchura

10.28mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TW
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay está diseñado para aplicaciones de potencia exigentes, combinando velocidad, fiabilidad y conformidad. Su estructura avanzada garantiza un rendimiento eficiente al tiempo que cumple estrictas normas de automoción y ambientales.

Certificación AEC-Q101 para fiabilidad de grado automovilístico

Velocidad de conmutación rápida para mejorar la eficiencia

Sin halógenos para un uso más seguro y respetuoso con el medio ambiente

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