MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXP120A063SE-T1GE3, VDSS 1200 V, ID 41 A, N, TO-263-7L de 7 pines

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Código RS:
790-412
Nº ref. fabric.:
MXP120A063SE-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

MaxSiC

Encapsulado

TO-263-7L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

79mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

221W

Tensión directa Vf

4.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.28mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

4.5mm

Longitud

9.23mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El MOSFET SiC de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en aplicaciones exigentes. Destaca por su capacidad para manejar altas tensiones y garantizar un funcionamiento fiable.

La rápida velocidad de conmutación mejora el rendimiento general del sistema

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs garantiza la fiabilidad durante los fallos

El rango de tensión de funcionamiento para el control de fuente-puerta optimiza la flexibilidad

La capacidad de corriente de drenaje continua admite una transferencia de energía robusta

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