MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A063SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 41 A, N, TO-247AD de 4 pines

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Código RS:
790-414
Nº ref. fabric.:
MXPQ120A063SL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

205W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

4.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

16.13mm

Longitud

23.6mm

Altura

5.21mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay es un dispositivo de conmutación de alto rendimiento diseñado para mejorar la eficiencia en diversas aplicaciones de potencia.

La velocidad de conmutación rápida optimiza el rendimiento operativo

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs mejora la fiabilidad

Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción

La baja resistencia en estado activo de 63 mΩ garantiza una pérdida de potencia mínima

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