MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A063SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 41 A, N, TO-247AD de 4 pines
- Código RS:
- 790-414
- Nº ref. fabric.:
- MXPQ120A063SL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | MaxSiC | |
| Encapsulado | TO-247AD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 205W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 23.6mm | |
| Anchura | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie MaxSiC | ||
Encapsulado TO-247AD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 205W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 23.6mm | ||
Anchura 16.13mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay es un dispositivo de conmutación de alto rendimiento diseñado para mejorar la eficiencia en diversas aplicaciones de potencia.
La velocidad de conmutación rápida optimiza el rendimiento operativo
El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs mejora la fiabilidad
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
La baja resistencia en estado activo de 63 mΩ garantiza una pérdida de potencia mínima
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