MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A080SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 31 A, N, TO-247AD de 4 pines

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Código RS:
790-417
Nº ref. fabric.:
MXPQ120A080SL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

174W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión directa Vf

4.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

16.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.21mm

Longitud

23.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET SiC de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia eficientes, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad óptimos en tus sistemas.

La velocidad de conmutación rápida mejora la eficiencia general del sistema

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs proporciona una protección robusta

La certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción garantiza la fiabilidad

La baja resistencia en estado activo minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

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