MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXP120A045SW-GE3, VDSS 1200 V, ID 51 A, N, TO-247AD 3L de 3 pines

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Código RS:
736-650
Nº ref. fabric.:
MXP120A045SW-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD 3L

Serie

MXP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Disipación de potencia máxima Pd

254W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El Sic Mosfet de canal N de Vishay proporciona un rendimiento de conmutación rápido para accionamientos de motor de alta eficiencia y convertidores dc a dc. Este semiconductor garantiza la estabilidad del sistema con un tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 microsegundos para inversores solares exigentes y sistemas de energía.

Velocidad de conmutación rápida para mayor eficiencia energética

Período de protección contra cortocircuitos robusto

Versátil para fuentes de alimentación ininterrumpida

Estándares de cumplimiento de materiales sostenibles

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