MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A045SW-GE3, VDSS 1200 V, ID 51 A, N, TO-247AD 3L de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

15,54 €

(exc. IVA)

18,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 415,54 €
5 +15,23 €

*precio indicativo

Código RS:
736-651
Nº ref. fabric.:
MXPQ120A045SW-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD 3L

Serie

MXP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Disipación de potencia máxima Pd

254W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Sic Mosfet de canal N de Vishay es un semiconductor de alto rendimiento con certificación AEC-Q101 específica para las rigurosas exigencias de las aplicaciones de automoción. Este componente garantiza la máxima seguridad y eficiencia en cargadores integrados y convertidores dc a dc para vehículos eléctricos.

Velocidad de conmutación rápida para una densidad de potencia

Resistencia fiable a cortocircuitos de 3 microsegundos

Fiabilidad de grado automovilístico para accionamientos auxiliares

Estándares de cumplimiento de materiales sostenibles

Enlaces relacionados