MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXP120A080SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 31 A, N, TO-247AD de 4 pines

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Código RS:
790-418
Nº ref. fabric.:
MXP120A080SL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

MaxSiC

Encapsulado

TO-247AD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

4.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

174W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

23.6mm

Anchura

16.13mm

Altura

5.21mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofreciendo eficiencia, velocidad y fiabilidad. Su diseño avanzado garantiza un funcionamiento robusto en condiciones exigentes al tiempo que mantiene el cumplimiento de la normativa ecológica.

La velocidad de conmutación rápida mejora la eficiencia general

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de hasta 3 μs garantiza la fiabilidad

Valor nominal para una tensión máxima de drenaje-fuente de 1200 V

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