MOSFET, Doble N-Canal Vishay SQJ968EP-T1_BE3, VDSS 60 V, ID 23.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines

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Código RS:
736-655
Nº ref. fabric.:
SQJ968EP-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.134Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Longitud

5.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE

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