MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ162EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 166 A, Mejora, SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 280-0019
- Nº ref. fabric.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,28 € | 11,40 € |
| 50 - 95 | 1,882 € | 9,41 € |
| 100 - 245 | 1,68 € | 8,40 € |
| 250 - 995 | 1,644 € | 8,22 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 280-0019
- Nº ref. fabric.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 166A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8L | |
| Serie | SQJ162EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.005Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 166A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8L | ||
Serie SQJ162EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.005Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Calificación AEC-Q101
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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