MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ162EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 166 A, Mejora, SO-8L de 4 pines

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Código RS:
280-0018
Nº ref. fabric.:
SQJ162EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

166A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQJ162EP

Encapsulado

SO-8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.005Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Calificación AEC-Q101

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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