MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ4917CEY-T1_BE3, VDSS 60 V, ID -8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-121
Nº ref. fabric.:
SQ4917CEY-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQ4917CEY

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.048Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de automoción, ya que ofrece configuraciones robustas de canal P doble que soportan tensiones de hasta 60 V y temperaturas de hasta 175 °C.

La tecnología TrenchFET garantiza una baja resistencia en estado activo

Ofrece una corriente de drenaje continua máxima de -8 A por pieza

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