MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2337CES-T1_BE3, VDSS 80 V, ID -2.2 A, Mejora, SOT-23-3 de 3 pines

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Código RS:
735-120
Nº ref. fabric.:
SQ2337CES-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SOT-23-3

Serie

SQ2337CES

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.2mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece alta eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de automoción al gestionar la energía eléctrica de manera eficaz y garantizar un rendimiento robusto en entornos exigentes.

Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 a +175 °C para diversas condiciones ambientales

La disipación de potencia máxima de 3 W admite cargas eléctricas exigentes

Resistencia en estado activo de tan solo 0,290 Ω a -10 V para un manejo óptimo de la potencia

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