MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2337CES-T1_BE3, VDSS 80 V, ID -2.2 A, Mejora, SOT-23-3 de 3 pines

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Código RS:
735-120
Nº ref. fabric.:
SQ2337CES-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SOT-23-3

Serie

SQ2337CES

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.29Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.2mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece alta eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de automoción al gestionar la energía eléctrica de manera eficaz y garantizar un rendimiento robusto en entornos exigentes.

Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 a +175 °C para diversas condiciones ambientales

La disipación de potencia máxima de 3 W admite cargas eléctricas exigentes

Resistencia en estado activo de tan solo 0,290 Ω a -10 V para un manejo óptimo de la potencia

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