MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
787-9443
Nº ref. fabric.:
SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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