MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 787-9443
- Nº ref. fabric.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 787-9443
- Nº ref. fabric.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia TrenchFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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