MOSFET Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 787-9443
Nº ref. fabric.:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,696 €

(exc. IVA)

0,842 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,696 €	6,96 €
100 - 240	0,682 €	6,82 €
250 - 490	0,536 €	5,36 €
500 - 990	0,341 €	3,41 €
1000 +	0,306 €	3,06 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9443
Nº ref. fabric.:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Certificados

AEC-Q101

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	SQ Rugged
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	54 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Material del transistor	Si
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,5 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	1.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.02mm
Estándar de automoción	AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C