MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-6982
Nº ref. fabric.:
SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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