MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, TO-236 de 3 pines

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Código RS:
180-7397
Nº ref. fabric.:
SQ2309ES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-236

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.335Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)

Longitud

3.04mm

Anchura

2.64 mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 50A A y una disipación de potencia máxima de 136W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Encapsulado con baja resistencia térmica

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptor adaptador

• Interruptores de carga

Certificaciones


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado

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