MOSFET de potencia TrenchFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 120 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-7405
Nº ref. fabric.:
SQM120P06-07L_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

SQM

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0067Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

270nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Altura

0.19in

Anchura

0.41 in

Longitud

0.625in

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,7mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Encapsulado de baja resistencia térmica

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptores adaptadores

• Interruptores de carga

• Ordenadores portátiles

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