MOSFET de potencia TrenchFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 120 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-7405
- Nº ref. fabric.:
- SQM120P06-07L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7405
- Nº ref. fabric.:
- SQM120P06-07L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia TrenchFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SQM | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0067Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 270nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 0.625in | |
| Altura | 0.19in | |
| Anchura | 0.41 in | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SQM | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0067Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 270nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 0.625in | ||
Altura 0.19in | ||
Anchura 0.41 in | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,7mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• Encapsulado de baja resistencia térmica
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles
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