MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 5.2 A, TO-263, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8843
- Número de artículo Distrelec:
- 304-30-843
- Nº ref. fabric.:
- IRF620SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8843
- Número de artículo Distrelec:
- 304-30-843
- Nº ref. fabric.:
- IRF620SPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.8Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.8Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay IRF620S es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 200V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene un encapsulado D2PAK (TO-263). Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,8ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 5,2A A.
Montaje superficial
Disponibles en cinta y carrete
Valor nominal dv/dt dinámico
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