MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 5.2 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,54 €

(exc. IVA)

15,175 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 715 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,508 €12,54 €
50 - 1202,28 €11,40 €
125 - 2452,132 €10,66 €
250 - 4952,006 €10,03 €
500 +1,882 €9,41 €

*precio indicativo

Código RS:
180-8843
Número de artículo Distrelec:
304-30-843
Nº ref. fabric.:
IRF620SPBF
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

IRF620S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia serie IRF620S de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A - IRF620SPBF


Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos e industriales. Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 para montaje a nivel de placa y es adecuado para aplicaciones que requieren manejo de corriente moderada y funcionamiento a temperaturas elevadas.

Características y ventajas:


• La potencia nominal de drenaje-fuente de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 5,2 A admite corrientes de carga moderadas • La Rds(on) de 0,8 Ω ofrece pérdidas de conducción predecibles para el presupuesto de calor • La carga de puerta típica de 14 nC permite una velocidad de conmutación y un diseño de accionamiento razonables • La disipación de potencia de 50 W ayuda a la planificación térmica para las etapas de potencia • El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C tolera entornos de temperatura amplios

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación de conmutación en equipos industriales • Ideal para etapas de puerta de accionamiento por motor con necesidades de corriente moderadas • Se utiliza para convertidores dc-dc en sistemas de automatización • Puede utilizarse para conmutación de carga en paneles de control eléctrico

¿Qué consideraciones de montaje se aplican a la gestión del calor?


El encapsulado SMD TO-263 requiere una almohadilla de cobre de tamaño adecuado y vias térmicas para distribuir la potencia disipada y mantener la temperatura de unión dentro de límites.

¿Para qué rango de tensión de accionamiento de puerta debo diseñar?


La tensión de fuente de puerta debe mantenerse dentro de ±20 V, por lo que los circuitos de accionamiento deben limitar la amplitud de puerta aplicada en consecuencia.

¿Cómo afecta la robustez del dispositivo a la fiabilidad a temperaturas elevadas?


La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C permite el uso en entornos calientes, pero la disipación continua cerca del límite de 50 W requerirá un diseño térmico de PCB eficaz para evitar el sobretensión térmica.

¿Hay normas ambientales relevantes para la contratación?


El componente cumple los requisitos RoHS y sigue las especificaciones de material pertinentes para los procesos de montaje en PCB.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.