MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRF620SPBF, VDSS 200 V, ID 5.2 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8301
- Nº ref. fabric.:
- IRF620SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,248 € | 62,40 € |
| 250 - 450 | 1,173 € | 58,65 € |
| 500 - 1200 | 1,061 € | 53,05 € |
| 1250 - 2450 | 0,998 € | 49,90 € |
| 2500 + | 0,936 € | 46,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8301
- Nº ref. fabric.:
- IRF620SPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | IRF620S | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.8Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie IRF620S | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.8Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de la serie IRF620S de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 200 V, disipación de potencia máxima de 50 W - IRF620SPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de potencia y conmutación de alta tensión. Se suministra en un encapsulado TO-263 y ofrece una configuración de transistor único para soluciones compactas de nivel de placa. El componente es adecuado donde se requiere conmutación controlada y resistencia térmica en diseños de alimentación industrial y electrónica.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 5,2 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo de potencia sostenido
• La resistencia de drenaje a fuente de 0.8 Ω reduce las pérdidas de conducción
• La carga de puerta típica de 14 nC mejora la eficiencia de conmutación
• Funciona a temperaturas de –55 a 150 °C para un amplio rango térmico
• La corriente de drenaje continua de 5,2 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo de potencia sostenido
• La resistencia de drenaje a fuente de 0.8 Ω reduce las pérdidas de conducción
• La carga de puerta típica de 14 nC mejora la eficiencia de conmutación
• Funciona a temperaturas de –55 a 150 °C para un amplio rango térmico
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación de conmutación de 200 V en PCB
• Ideal para la conmutación de puerta de accionamiento por motor en circuitos de control
• Se utiliza con controladores PWM en diseños de conversión de potencia
• Se puede utilizar para tareas de conmutación de alta tensión de uso general
• Se utiliza en conjuntos de etapas de potencia montados en placa
• Ideal para la conmutación de puerta de accionamiento por motor en circuitos de control
• Se utiliza con controladores PWM en diseños de conversión de potencia
• Se puede utilizar para tareas de conmutación de alta tensión de uso general
• Se utiliza en conjuntos de etapas de potencia montados en placa
¿Qué estilo de montaje requiere en una PCB?
Se trata de un dispositivo de montaje en superficie suministrado en un encapsulado TO-263 que requiere almohadillas de soldadura adecuadas y una tierra térmica para la transferencia de calor.
¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
La potencia nominal de puerta-fuente está limitada a un máximo de 20 V y los diseños deben evitar exceder esta potencia durante la conducción o transitorios.
¿Cuántos elementos de transistor están presentes en la matriz?
El componente contiene un solo elemento por chip, lo que simplifica la disposición en serie/paralelo.
¿Hay estándares ambientales o de material asociados con el dispositivo?
Cumple la directiva RoHS 2002/95/CE y sigue las directrices de materiales de fabricación IEC 61249-2-21.
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