MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFS11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-263, config. Simple
- Código RS:
- 180-8349
- Nº ref. fabric.:
- IRFS11N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8349
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- IRFS11N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 520mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 170W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Se especifica un coss efectivo
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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