MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-263, config. Simple
- Código RS:
- 180-8349
- Nº ref. fabric.:
- IRFS11N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8349
- Nº ref. fabric.:
- IRFS11N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 520mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 170W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Se especifica un coss efectivo
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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