MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF740ALPBF, VDSS 400 V, ID 10 A, TO-263 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 180-8304
- Nº ref. fabric.:
- IRF740ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8304
- Nº ref. fabric.:
- IRF740ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.55Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.55Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Longitud 9.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 400 V, corriente de drenaje continua máxima de 10 A - IRF740ALPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montaje en superficie, lo que ofrece un equilibrio de capacidad de tensión y corriente continua para tareas exigentes de control y regulación de potencia.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 400 V admite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 10 A permite una manipulación sostenida de la carga • La baja Rds(on) de 0,55 Ω reduce las pérdidas de conducción en corrientes de funcionamiento • La disipación de potencia de 125 W permite una carga térmica elevada • La carga de puerta típica de 36 nC ayuda a un comportamiento de conmutación predecible • La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C permite un funcionamiento a altas temperaturas
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial • Ideal para elementos de conmutación de fuente de alimentación de alta tensión • Se utiliza para topologías de inversores y convertidores en sistemas de automatización • Puede utilizarse para conmutación de carga en paneles de control eléctrico
¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 adecuado para disipación térmica en PCB.
¿Qué estándares ambientales están asociados con este componente?
El dispositivo cumple las normas RoHS 2002/95/EC e IEC 61249-2-21 sobre materiales.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta no debe superar ±30 V para evitar daños en el dispositivo.
¿Cuáles son los límites de funcionamiento térmico para un uso a largo plazo?
El componente está clasificado para un funcionamiento continuo entre -55 °C y 150 °C.
¿Cuántos contactos están presentes para conexiones eléctricas?
El dispositivo tiene tres contactos configurados para funcionamiento con un solo transistor.
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