MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9520SPBF, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-263, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8308
- Nº ref. fabric.:
- IRF9520SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- 180-8308
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.6Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.6Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 600mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 60W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Disponible en cinta y carrete
• Índice dv/dt dinámico
• Cambio rápido
• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• avalancha repetitiva
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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