MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-263, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8684
Nº ref. fabric.:
IRF9520SPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.6Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Longitud

9.65mm

Anchura

10.67 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 600mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 60W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Disponible en cinta y carrete

• Índice dv/dt dinámico

• Cambio rápido

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• avalancha repetitiva

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Cargador de baterías

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Alimentación de modo conmutado (SMPS)

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