MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-263, 1, config. Simple

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,63 €

(exc. IVA)

12,86 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 31 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +2,126 €10,63 €

*precio indicativo

Código RS:
180-8684
Nº ref. fabric.:
IRF9520SPBF
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.6Ω

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.65mm

Anchura

10.67 mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 600mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 60W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Disponible en cinta y carrete

• Índice dv/dt dinámico

• Cambio rápido

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• avalancha repetitiva

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Cargador de baterías

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Alimentación de modo conmutado (SMPS)

Enlaces relacionados