MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2309ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, TO-236 de 3 pines

Código RS:: 180-7990
Nº ref. fabric.:: SQ2309ES-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2309ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, TO-236 de 3 pines

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200 - 480	0,417 €	8,34 €
500 - 980	0,313 €	6,26 €
1000 - 1980	0,261 €	5,22 €
2000 +	0,235 €	4,70 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7990
Nº ref. fabric.:: SQ2309ES-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET de potencia TrenchFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	TO-236
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.335Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.5nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Longitud	3.04mm
	Anchura	2.64 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado TO-236
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.335Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Longitud 3.04mm
	Anchura 2.64 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 50A A y una disipación de potencia máxima de 136W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Encapsulado con baja resistencia térmica

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Interruptores de carga

Certificaciones

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado