MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
170-8300
Nº ref. fabric.:
SQD25N06-22L_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.022Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

62W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Anchura

6.22 mm

Altura

2.38mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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