MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

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Código RS:
719-650
Nº ref. fabric.:
STD70N10F4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

STP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0195Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.2mm

Altura

2.4mm

La tecnología STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET de STMicroelectronics se encuentra entre las últimas mejoras, que se han diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo, con una nueva estructura de puerta que proporciona un rendimiento de conmutación superior.

Capacidad dv/dt excepcional

RDS(on) de resistencia encendida muy baja

100 % a prueba de avalancha

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