MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

0,85 €

(exc. IVA)

1,03 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 257 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +0,85 €

*precio indicativo

Código RS:
719-650
Nº ref. fabric.:
STD70N10F4
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

STP

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0195Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.2mm

Anchura

6.6 mm

Enlaces relacionados