MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines
- Código RS:
- 719-637
- Nº ref. fabric.:
- SGT350R70GTK
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 22500 | 1,524 € | 3.810,00 € |
| 25000 - 247500 | 1,019 € | 2.547,50 € |
| 250000 - 1247500 | 0,851 € | 2.127,50 € |
| 1250000 - 2497500 | 0,818 € | 2.045,00 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 719-637
- Nº ref. fabric.:
- SGT350R70GTK
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -1.4, 7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.7mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -1.4, 7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.7mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 6 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable. Recomendado para aplicaciones QR de consumo con encendido de corriente cero.
Modo de mejora normalmente apagado transistor
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero
Protección ESD
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