MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.822,50 €

(exc. IVA)

2.205,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,729 €1.822,50 €

*precio indicativo

Código RS:
719-637
Nº ref. fabric.:
SGT350R70GTK
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

G-HEMT

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

47W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.2mm

COO (País de Origen):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 6 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable. Recomendado para aplicaciones QR de consumo con encendido de corriente cero.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

Enlaces relacionados