Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 165-6853
Nº ref. fabric.:: STD26P3LLH6
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 165-6853
Nº ref. fabric.:: STD26P3LLH6
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	STripFET
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	45mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12nC
	Disipación de potencia máxima Pd	40W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.6mm
	Altura	2.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie STripFET
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC
	Disipación de potencia máxima Pd 40W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.6mm
	Altura 2.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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