MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD26P3LLH6, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 792-5717
- Nº ref. fabric.:
- STD26P3LLH6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,30 €
(exc. IVA)
11,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 10 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
- Disponible(s) 1700 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,93 € | 9,30 € |
| 20 + | 0,883 € | 8,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5717
- Nº ref. fabric.:
- STD26P3LLH6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-TO-252
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-TO-252
