MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD35P6LLF6, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-911
Nº ref. fabric.:
STD35P6LLF6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET F6

Encapsulado

TO-252

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.028Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal P de STMicroelectronics, desarrollado utilizando la tecnología STripFET F6, con una nueva estructura de puerta de trinchera. El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) muy bajo en todos los encapsulados.

Resistencia encendida muy baja

Carga de puerta muy baja

Alta robustez ante avalanchas

Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja

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