MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD35P6LLF6, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-912
- Nº ref. fabric.:
- STD35P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*precio indicativo
- Código RS:
- 151-912
- Nº ref. fabric.:
- STD35P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STripFET F6 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal P de STMicroelectronics, desarrollado utilizando la tecnología STripFET F6, con una nueva estructura de puerta de trinchera. El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) muy bajo en todos los encapsulados.
Resistencia encendida muy baja
Carga de puerta muy baja
Alta robustez ante avalanchas
Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja
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