MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 35 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
249-6744
Nº ref. fabric.:
STD80N240K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

35V

Serie

STD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.1mm

Anchura

6.6 mm

Certificaciones y estándares

UL

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics se ha diseñado utilizando la última tecnología de malla K6 basada en la tecnología de superconexión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor RDS(on) a nivel mundial x área

Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial

Carga de puerta ultrabaja

100% prueba de avalancha

Con protección Zener

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