MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD80N240K6, VDSS 35 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6745
- Nº ref. fabric.:
- STD80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 249-6745
- Nº ref. fabric.:
- STD80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 35V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.6 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 35V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STD | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.6 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics se ha diseñado utilizando la última tecnología de malla K6 basada en la tecnología de superconexión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) a nivel mundial x área
Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial
Carga de puerta ultrabaja
100% prueba de avalancha
Con protección Zener
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