MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD10P6F6, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
917-2747
Nº ref. fabric.:
STD10P6F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.38mm

Longitud

6.6mm

Anchura

7.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics


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Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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