MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

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Código RS:
719-638
Nº ref. fabric.:
SGT350R70GTK
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-252

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

47W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-1.4 to 7 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.2mm

Anchura

6.7 mm

COO (País de Origen):
CN