MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SQ4917CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 4

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Código RS:
268-8360
Nº ref. fabric.:
SQ4917CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ4917CEY

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

60 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal P doble de automoción TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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