MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQJ211ELP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 33.6 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 228-2959
- Nº ref. fabric.:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
8,64 €
(exc. IVA)
10,455 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 2815 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
| 50 - 120 | 1,558 € | 7,79 € |
| 125 - 245 | 1,298 € | 6,49 € |
| 250 - 495 | 1,208 € | 6,04 € |
| 500 + | 0,792 € | 3,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2959
- Nº ref. fabric.:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | -0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf -0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El canal P de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de potencia de 100 V.
100 % Rg y UIS probados
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V SO-8 4
- MOSFET VDSS -80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, SO-8 de 8 pines