MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 33.6 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2958
Nº ref. fabric.:
SQJ211ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

-0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal P de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de potencia de 100 V.

100 % Rg y UIS probados

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