MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3883
- Nº ref. fabric.:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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- Código RS:
- 178-3883
- Nº ref. fabric.:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.99mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
mosfet de vishay
El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V y una tensión de fuente de compuerta máxima de of20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 80mohms a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una máxima disipación de potencia de 45W y corriente continua de drenaje de 16A. Tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 4,5 V y 10V. Se utiliza en aplicaciones de automóviles. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin Plomo (Pb)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• pruebas De Cr
• pruebas de IEU
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