MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N, Tipo P-Canal SQJ504EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
178-3893
Nº ref. fabric.:
SQJ504EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

34W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Longitud

5.99mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN

mosfet de vishay


El MOSFET Vishay de montaje en superficie de canal doble (canales N y P) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 17mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una máxima disipación de potencia de 34W y una corriente continua de drenaje de 30A. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad. Es aplicable en la industria automotriz.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin Plomo (Pb)

• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• pruebas De Cr

• pruebas de IEU

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