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    MOSFET Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, PowerPAK SO-8L doble de 4 pines, 2elementos

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    3000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

    0,564 €

    (exc. IVA)

    0,682 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Carrete*
    3000 +0,564 €1.692,00 €

    *precio indicativo

    Código RS:
    178-3720
    Nº ref. fabric.:
    SQJ504EP-T1_GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix

    Estado RoHS: No aplica

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN, P
    Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK SO-8L doble
    SerieTrenchFET
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines4
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente30 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.5V
    Tensión de umbral de puerta mínima1.5V
    Disipación de Potencia Máxima34 W, 34 W
    Tensión Máxima Puerta-Fuente±20 V
    Ancho5mm
    Número de Elementos por Chip2
    Material del transistorSi
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Longitud5.99mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs18 nC (canal N) a 10 V, 56 nC (canal P) a 10 V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura1.07mm
    Tensión de diodo directa1.2V
    Estándar de automociónAEC-Q101

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