MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 9.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

12,96 €

(exc. IVA)

15,68 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Está siendo descatalogado
  • Últimas 10.290 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 901,296 €12,96 €
100 - 4901,10 €11,00 €
500 - 9900,973 €9,73 €
1000 +0,842 €8,42 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
178-3873
Nº ref. fabric.:
SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

760mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Enlaces relacionados