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    MOSFET Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24,5 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, , config. Simple

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    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

    1,005 €

    (exc. IVA)

    1,216 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    10 - 901,005 €10,05 €
    100 - 4900,854 €8,54 €
    500 - 9900,754 €7,54 €
    1000 +0,653 €6,53 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    178-3903
    Nº ref. fabric.:
    SQJ872EP-T1_GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix

    Estado RoHS: No aplica

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje24,5 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK SO-8L
    SerieTrenchFET
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines4
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente80 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.5V
    Tensión de umbral de puerta mínima3.5V
    Disipación de Potencia Máxima55 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente±20 V
    Número de Elementos por Chip1
    Ancho5mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs14 nC a 10 V
    Longitud5.99mm
    Material del transistorSi
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Altura1.07mm
    Estándar de automociónAEC-Q101
    Tensión de diodo directa1.2V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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