MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3903
Nº ref. fabric.:
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

5.99mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® power MOSFET

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