MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines

Código RS:: 178-3721
Nº ref. fabric.:: SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines

Disponibilidad limitada

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Código RS:: 178-3721
Nº ref. fabric.:: SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay Siliconix
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	24.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	SQJ872EP
	Encapsulado	SO-8L
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0395Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14nC
	Disipación de potencia máxima Pd	55W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	5mm
	Altura	1.07mm
	Longitud	5.99mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay Siliconix
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 24.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie SQJ872EP
	Encapsulado SO-8L
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0395Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC
	Disipación de potencia máxima Pd 55W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 5mm
	Altura 1.07mm
	Longitud 5.99mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

MOSFET serie SQJ872EP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 150 V, corriente de drenaje continua de 24,5 A - SQJ872EP-T1_GE3

Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente en entornos exigentes. Funciona como transistor de mejora de canal N para funciones de conmutación y conversión de potencia. El dispositivo es adecuado para montaje en PCB en un encapsulado de perfil pequeño y está fabricado para cumplir con los estándares ambientales del sector.

Características y ventajas:

• Baja resistencia de conexión de 0,0395 Ω que proporciona pérdidas de conducción reducidas
• Capacidad de alta tensión de 150 V que permite un rango de potencia de conmutación robusto
• Corriente nominal continua de 24,5 A que admite corrientes de carga sustanciales
• Carga de puerta de 14 nC que permite un control de conmutación eficiente
• Disipación de potencia de 55 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Amplia tolerancia de puerta de ±20 V, lo que hace que el diseño de accionamiento de puerta sea flexible

Aplicaciones

• Apto para etapas de potencia de automoción que requieren conformidad con AEC‐Q101
• Ideal para matrices de interruptores de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con convertidores dc-dc en sistemas de alta tensión
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Útil en etapas de conmutación de inversor y SAI frontal

¿Qué rango de temperatura puede tolerar en instalaciones hostiles?

Funciona en un amplio rango de temperaturas de –55 a 175 °C, soportando condiciones térmicas industriales y de automoción extremas.

¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para el montaje de placas?

El dispositivo se suministra en un encapsulado SO‐8L diseñado para montaje en PCB para simplificar la integración en conjuntos compactos.

¿Cómo influye la tensión directa en el diseño del sistema?

La caída de conducción directa es de 1,2 V en condiciones especificadas, lo que debe incluirse en los cálculos de pérdida de potencia y las evaluaciones de gestión térmica.

¿Es adecuado el dispositivo para requisitos de fabricación regulados y ambientales?

Cumple las directivas RoHS, lo que indica la restricción de sustancias peligrosas especificadas en los materiales de los componentes.