MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R025M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 65 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines

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Código RS:
762-904
Nº ref. fabric.:
IMZA40R025M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

195W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

21.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.

100 % a prueba de avalancha

Tensión de control de puerta recomendada

Calificado para aplicaciones industriales

Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías

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