MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R029M2HXKSA1, VDSS 1400 V, ID 65 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines

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Código RS:
762-926
Nº ref. fabric.:
IMZC140R029M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1400V

Serie

CoolSiC

Encapsulado

TO-247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Disipación de potencia máxima Pd

288W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

23.5mm

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET SiC G2 CoolSiC de 1400 V de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio con tecnología de interconexión .XT. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y un diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura.

Funcionamiento a alta temperatura

Apto para conmutación dura

Gestión térmica fiable

Rendimiento mejorado

Mayor eficiencia

Controlador de puerta optimizado

Apto para electrónica de potencia

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