MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IMZC140R038M2HXKSA1, VDSS 25 V, ID 52 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 762-927
- Nº ref. fabric.:
- IMZC140R038M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-927
- Nº ref. fabric.:
- IMZC140R038M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 242W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Anchura | 16mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 242W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 23.5mm | ||
Anchura 16mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET SiC G2 CoolSiC de 1400 V de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio con tecnología de interconexión .XT. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y un diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura.
Funcionamiento a alta temperatura
Apto para conmutación dura
Gestión térmica fiable
Rendimiento mejorado
Mayor eficiencia
Controlador de puerta optimizado
Apto para electrónica de potencia
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