MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZC140R038M2HXKSA1, VDSS 25 V, ID 52 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines

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Código RS:
762-927
Nº ref. fabric.:
IMZC140R038M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

38mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

242W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.1mm

Longitud

23.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET SiC G2 CoolSiC de 1400 V de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio con tecnología de interconexión .XT. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y un diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura.

Funcionamiento a alta temperatura

Apto para conmutación dura

Gestión térmica fiable

Rendimiento mejorado

Mayor eficiencia

Controlador de puerta optimizado

Apto para electrónica de potencia

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